晶圓檢測系統 Model 7940

晶圓檢測系統
產品特色
  • 可同時檢測正反兩面晶圓
  • 最大可檢測6吋擴膜晶圓 (檢測區域達8吋範圍)
  • 可因應不同產業的晶粒更換或新增檢測項目
  • 上片後晶圓自動對位機制
  • 自動尋邊功能可適用於不同形狀之晶圓
  • 瑕疵規格編輯器可讓使用者自行編輯檢測規格
  • 瑕疵檢出率高達98%
  • 可結合上游測試機晶粒資料,合併後上傳至下一道製程設備
  • 提供檢測報表編輯器,使用者可自行選擇適用資料並進行分析

Chroma 7940晶圓檢測系統為自動化切割後晶粒檢測設備,使用先進的打光技術,可以清楚的辨識晶粒的外觀瑕疵。結合不同的光源角度、亮度及取像模式,使得7940可以適用於LED、雷射二極體及光敏二極體等產業。

由於使用高速相機以及自行開發之檢測演算法,7940可以在3分鐘內檢測完6吋LED晶圓,換算為單顆處理時間為15msec。7940同時也提供了自動對焦與翹曲補償功能,以克服晶圓薄膜的翹曲與載盤的水平問題。7940可配置2種不同倍率,使用者可依晶粒或瑕疵尺寸選擇檢測倍率。系統搭配的最小解析度為0.5um,一般來說,可以檢測1.5um左右的瑕疵尺寸。

系統功能

在擴膜之後,晶粒或晶圓可能會產生不規則的排列,7940也提供了搜尋及排列功能以轉正晶圓。此外,7940擁有人性化的使用介面可降低學習曲線,所有的必要資訊,如晶圓分佈,瑕疵區域,檢測參數及結果,均可清楚地透過使用者介面(UI)呈現。

瑕疵資料分析

所有的檢測結果均會被記錄下來,而不僅只是良品/不良品的結果。這有助於找出一組最佳參數,達到漏判與誤判的平衡點。提供瑕疵原始資料亦有助於分析瑕疵產生之趨勢,並回饋給製程人員進行改善。

 應用範圍

使用在垂直結構LED製程&垂直腔面發射激光器VCSEL製程

發光二極體正面檢查項目
  • 電極缺陷 Pad Defect
  • 電極殘留 Pad Residue
  • 發光區剝落 ITO Peeling
  • 斷線 Finger Broken
  • 切割道異常 Mesa Abnormality
  • 磊晶缺陷 Epi Defect
  • 崩缺 Chipping
  • 晶粒殘留 Chip Residue


▲ 正面同軸光影像


▲ 正面環形光影像

發光二極體背面檢查項目
  • 切割不良 Dicing Abnormality
  • 電極凸點 Pad Bump
  • 晶邊崩缺 Chipping
  • 失金 Metal Lack


▲ 背面同軸光影像


▲ 背面環形光影像

VCSEL正面檢查項目
  • 焊墊缺陷 Pad Defect
  • 焊墊刮傷 Pad Scratch
  • 發光區缺陷 Emitting Area Defect
  • 剝落 Peeling
  • 邊線異常 Mesa Abnormality
  • 磊晶缺陷 Epi Defect
  • 崩邊 Chipping
  • 晶粒殘留 Chip Residue


▲ 正面同軸光影像


▲ 正面環形光影像

VCSEL背面檢查項目
  • 切割異常 Dicing Abnormality
  • 焊墊突起 Pad Bump
  • 崩邊 Chipping
  • 剝落 Metal Lack


▲ 背面環形光影像

 


產品詢價

所有規格如有更改,恕不另行通知。
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